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Crocus Nano Electronics

Crocus Nanoelectronics是俄罗斯唯一一家在300毫米硅片上开发和制造电子元件的公司,设计规范为90/55纳米。
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http://crocusnano.com

Crocus Nano电子公司是俄罗斯唯一一家从事300毫米硅片上电子元件的开发和BEOL生产(在生产的最后阶段,生产线的后端实现技术操作的全周期)的公司,设计标准为90/55纳米。该公司还能够为潜在客户提供在硅片上应用磁层的工程和工厂服务,以及基于创新类型的非易失性存储器的产品。

该公司是俄罗斯生产和开发使用MRAM(磁阻式随机存取存储器)和RRAM(电阻式随机存取存储器)技术的现代类型非易失性存储器的技术领导者。公司的产品包括RFID和微控制器,生物电子芯片,MRAM和RRAM内存芯片(嵌入式和独立式内存),工业电子的磁传感器,通信设备,汽车和消费电子。该公司拥有现代化的设备、先进的技术和能力,还提供300毫米晶圆的BEOL合同制造服务和工艺开发。
企业的合作伙伴是最大的技术公司和制造商,如。国际商业机器公司(美国)、中芯国际集成电路制造公司(中国)、塔式半导体公司(以色列、日本)、上海华力微电子公司(中国)、阿德斯托科技公司(美国)等大型科技公司和制造商。
如今,公司的生产能力已达每月4千片晶圆。 生产设施总面积为6.9万平方米。


产品和服务

Crocus Nano Electronics的生产目录包括MRAM和RRAM存储芯片、磁性传感器、硅基插层、生物电子芯片、通信设备。此外,公司还提供300毫米晶圆上集成电路的合同生产和技术工艺的开发服务。MRAM和RRAM是下一代非易失性存储器技术。MRAM和RRAM是新一代的非易失性存储器技术,公司开发并准备生产MRAM和RRAM芯片。公司开发的MRAM芯片记录密度为1-4兆位,读写速度为35/90/120/150纳秒。它们具有低功耗,适用于记录数据和程序、缓冲和数据缓存。该技术是专门为集成到微控制器、微处理器和系统级芯片中而设计的,MRAM和RRAM芯片可以替代Flash、EEPROM和SRAM存储元件。在MRAM中,数据是通过存储元件的磁极化来记录的,这确保了高性能、无限重写周期和20年的能源独立性。MRAM存储器是低能耗设备的最佳选择,设计用于数据记录、程序、缓冲和数据缓存。 MRAM存储器单元的集成在生产过程的末端(生产线后端)进行。这样一来,MRAM存储器可以与任何基本的CMOS器件一起使用。其中,该技术易于扩展,通用于广泛的应用,并可替代其他类型的嵌入式存储器。对于非标准的解决方案,Crocus Nano电子公司提供专门的复杂功能MRAM单元(模块)的开发。

出口额

90%的产品
*对世界市场的影响

国际高级专家团队

俄罗斯唯一的非易失性存储器制造商

俄罗斯第一家生产300毫米硅片的无线电电子工业企业。

联系信息

Crocus Nano Electronics
俄罗斯,莫斯科,Volgogradsky Prospekt 42号,5号楼
+7 495 640-51-86
联系代表
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